光电二极管功率探头(中小功率,高精度)
简介:

光功率和能量测量产品包括光功率计表头、多种功率探头、内置光电二极管探头的无线功率计、以及设计在现场使用的光纤功率计。表头(PM100、PM200、PM400和PM300系列)可搭配多种功率探头和能量探头使用,在很宽的功率、能量和波长范围提供已校准的(可追溯到NIST)测量结果。用户可以分别选购不同的表头和探头,也可以购买高性价比的光功率计套装,这些套装组合了我们最流行的表头和探头。光功率的校准数据存储在探头中,而表头可以自动读取这些数据,从而允许同一个表头配合多个探头使用。用户还可以通过红色的C系列接头来识别兼容的功率计探头,所有老款的A/B型探头都提供新型的接头。

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产品详情

光电二极管功率探头(C系列)

标准光电二极管探头规格:S120C系列

型号

S120VC

S120C

S121C

S122Ca

单价(元)

4300

3100

3400

6100

传感器类型

硅光电二极管

(紫外增强)

硅光电二极管

硅光电二极管

锗光电二极管

波长范围

200 nm - 1100 nm

400 nm - 1100 nm

400 nm - 1100 nm

700 nm - 1800 nm

功率范围

50 nW - 50 mW

50 nW - 50 mW

500 nW - 500 mW

50 nW - 40 mW

最大平均功率密度

20 W/cm

10 W/cm

最大脉冲能量

20 µJ

线性度

±0.5%

分辨率

1 nW

1 nW

10 nW

2 nW

测量不确定度

±3% (440 - 980 nm)
±5% (280 - 439 nm)
±7% (200 - 279 nm,
981 - 1100 nm)

±3% (440 - 980 nm)
±5% (400 - 439 nm)
±7% (981 - 1100 nm)

±3% (440 - 980 nm)
±5% (400 - 439 nm)
±7% (981 - 1100 nm)

±5%

超薄光电二极管探头规格:S130C系列

型号

S130VC

S130C

S132C

单价(元)

6200

5100

7300

传感器类型

硅光电二极管

硅光电二极管

锗光电二极管

波长范围

200 nm - 1100 nm

400 nm - 1100 nm

700 nm - 1800 nm

功率范围

500 pW - 0.5 mWc
(Up to 50 mW)c

500 pW - 5 mW
(Up to 500 mW)

5 nW - 5 mW
(Up to 500 mW)

最大平均功率密度

20 W/cm

最大脉冲能量

20 µJ

线性度

±0.5%

分辨率

100 pW

100 pW

1 nW

测量不确定度

±3% (440 - 980 nm)
±5% (400 - 439 nm)
±7% (200 - 279 nm,
981 - 1100 nm)

±3% (440 - 980 nm)
±5% (280 - 439 nm)
±7% (981 - 1100 nm)

±5%

用于超薄光电二极管探头的安装座

小型超薄光电二极管探头

型号

S116C

单价(元)

3800

传感器类型

硅光电二极管

波长范围

400 - 1100 nm

功率范围

20 nW - 50 mW

最大平均功率密度

20 W/cm²

最大脉冲能量

20 µJ

线性度

±0.5%

分辨率

1 nW

测量不确定度

±3% (451 - 1000 nm)
±5% (400 - 450 nm,
1001 - 1100 nm)

显微镜载玻片光电二极管探头

型号

S170C

单价(元)

12000

传感器类型

硅光电二极管

波长范围

350 - 1100 nm

功率范围

10 nW - 150 mW

最大平均功率密度

20 W/cm²

最大脉冲能量密度

N/A

线性度

±0.5%

分辨率

1 nW

测量不确定度

±3% (440 - 980 nm)
±5% (350 - 439 nm)
±7% (981 - 1100 nm)

积分球光电二极管探头

型号

S140C

S142C

S144C

S145C

S146C

S148C

S180C

单价(元)

7000

10000

9000

10500

10500

9000

39000

传感器类型

Si Photodiode

InGaAs Photodiode

HgCdTe (MCT)

Photodiode

波长范围

350 nm - 1100 nm

800 nm - 1700 nm

900 nm - 1650 nm

1200 - 2500 nm

2900 - 5500 nm

功率范围

1 µW - 500 mW

1 µW - 5 W

1 µW - 500 mW

1 µW - 3 W

10 µW - 20 W

1 µW - 1 W

1 µW - 3 W

最大平均功率密度

1 kW/cm²

2 kW/cm²

1 kW/cm²

2 kW/cm²

1 kW/cm²

最大脉冲能量密度

1 J/cm²

7 J/cm²

1 J/cm²

7 J/cm²

1 J/cm²

线性度

±0.5%

分辨率

1 nW

10 nW

1 nW

10 nW

测量不确定度

±3% (440 - 980 nm)
±5% (350 - 439 nm)
±7% (981 - 1100 nm)

±5%

光纤耦合光电二极管探头: S150C系列

型号

S150C

S151C

S154C

S155C

单价(元)

3100

3500

4400

5100

传感器类型

Si Photodiode

InGaAs Photodiode

波长范围

350 nm - 1100 nm

400 nm - 1100 nm

800 nm - 1700 nm

800 nm - 1700 nm

功率范围

100 pW - 5 mW
(-70 dBm to 7 dBm)

1 nW - 20 mW
(-60 dBm to 13 dBm)

100 pW - 3 mW
(-70 dBm to 5 dBm)

1 nW - 20 mW
(-60 dBm to 13 dBm)

最大平均功率密度

100 mW/cm²

10 W/cm²

100 mW/cm²

10 W/cm²

最大脉冲能量

20 µJ

线性度

±0.5%

分辨率

10 pW (-80 dBm)

100 pW (-70 dBm)

10 pW (-80 dBm)

100 pW (-70 dBm)

测量不确定度

±3% (440 - 980 nm)
±5% (350 - 439 nm)
±7% (981 - 1100 nm)

±3% (440 - 980 nm)
±5% (400 - 439 nm)
±7% (981 - 1100 nm)

±5%


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